本次鑒定會由中國電子學會組織，西安電子科技大學的郝躍院士擔任鑒定會主任，中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中電集團五十五所、電子科技大學、北京大學、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、中科院電工所和中科院物理所等各單位專家擔任鑒定會委員。鑒定委員會認真聽取了項目完成單位關于該成果的研制報告、技術報告、用戶使用報告及經(jīng)濟效益和社會效益分析報告，審閱了查新報告、測試報告和資料審查報告等相關技術資料。

　　“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應用驗證”項目實現(xiàn)了高性能SiC SBD 650V/150A、1200V/100A、1700V/50A、3300V/32A和5000V/3A 五個代表品種和SiC MOSFET 600V/5A、1200V/20A 和1700V/5A 三個代表品種，部分產(chǎn)品已應用于光伏逆變、軌道交通、電動汽車等領域。

　　經(jīng)質詢和討論，鑒定委員會認為該項目在高功率SiC器件結構設計、關鍵制造工藝和界面態(tài)控制等技術取得突破，器件性能達到國內(nèi)領先、國際先進水平，成果已經(jīng)在地鐵車輛牽引系統(tǒng)運行6000公里，光伏電場掛機發(fā)電19.5MWh，混合動力城市客車運行9469公里，具有良好的社會和經(jīng)濟效益。鑒定委員會一致同意該項目成果通過科技成果鑒定。